特種氣體可用于電子行業，特種氣體運用于電子行業的集成電路制造是比較常見的。成都特種氣體用于集成電路制造的應用是什么大家知道嗎？下面東方工業氣體為大家介紹一下。

　　1、集成電路芯片制程

　　微芯片制造涉及硅片制備、硅片制造、硅片測試/揀選、裝配與封裝、Z終測試等五個大的制造階段。這五個階段是獨立的, 在半導體公司內均具有大型基礎設施, 并且有提供專用化學材料和設備的工業支撐網。僅在獨立階段運營的公司(像僅制造芯片的芯片公司) , 必須滿足業界標準以確保Z終微芯片滿足性能目標。

　　2、化學氣相沉積和氣體應用

　　化學氣相沉積(CVD) 是通過氣體混合的化學反應, 在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。硅片表面及其鄰近的區域被加熱來向反應系統提供所需的能量?；瘜W氣相沉積膜中所有的物質都源于外部源。原子或分子會沉積在硅片表面形成薄膜。

　　化學氣相沉積通常包括氣體傳輸至沉積區域、膜先驅物的形成、膜先驅物附著在硅片表面、膜先驅物粘附、膜先驅物擴散、表面反應、副產物從表面移除、副產物從反應腔移除等八個主要步驟?；瘜W氣相沉積常用的氣體包括: SiH4、DCS、TCS、SiCl4、TEOS、NH3、N2O、WF6、H2、O2 等。發生的化學反應通常有:

　　SiH4 + O2 → SiO2 + H2

　　SiH4 → Si + H2

　　SiH4 + NH3 → Si3N4 + H2

　　SiH4 + N2O → SiO2 + N2 + H2

　　TEOS + O3 →SiO2 + H2O + CO2

　　DCS + NH3 → Si3N4 + HCl + H2

　　3、刻蝕和氣體應用

　　刻蝕是采用化學和物理方法, 有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程?？涛g的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕是利用液態化學試劑或溶液通過化學反應進行刻蝕。干法刻蝕利用低壓放電產生的等離子體中的離子或游離基與材料發生化學反應, 或通過轟擊等物理作用而達到刻蝕的目的。

　　其主要介質是氣體。干法刻蝕的優點是各向異性(即垂直方向刻蝕速率遠大于橫向速率) 明顯、特征尺寸控制良好、化學品使用和處理費用低、蝕刻速率高、均勻性好、良率高等。常用的干法刻蝕是等離子體刻蝕。

　　硅片的刻蝕氣體主要是氟基氣體, 包括CF4、CF4 /O2、SF6、C2 F6 /O2、NF3 等。但由于其各向同性, 選擇性較差, 因此改進后的刻蝕氣體通常包括氯基(Cl2 ) 和溴基(Br2、HBr) 氣體。反應后的生成物包括SiF4、SiCl4 和SiBr4。鋁和金屬復合層的刻蝕通常采用氯基氣體, 如CCl4、Cl2、BCl3 等。

　　產物主要包括AlCl3 等。

　　4、摻雜和氣體應用

　　摻雜是將需要的雜質摻入特定的半導體區域中, 以改變半導體電學性質, 形成pn 結、電阻、歐姆接觸等。p型半導體是在硅(鍺) 單晶中摻入少量三價元素硼(或鋁、銦、鎵等) , 則三價元素原子在晶格中缺少一個價電子, 從而造成一個空位?？瘴缓苋菀追@鄰近四價原子的價電子, 即在鄰近產生一個空穴, 空穴可以參與導電?？瘴环@電子后, 使雜質原子成為負離子。負離子束縛于晶格中, 不參與導電。摻雜后p型半導體中的空穴濃度等于摻雜濃度。在p型半導體中空穴是多數載流子, 自由電子是少數載流子。n 型半導體是在硅(鍺) 單晶中摻入少量五價元素磷(或砷、銻等) ,則五價元素原子在晶格中多余一個價電子。多余價電子容易成為自由電子, 可以參與導電。提供自由電子后的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子。

　　正離子束縛于晶格中, 不參與導電。摻雜后n型半導體中的自由電子濃度等于摻雜濃度。在n型半導體中自由電子是多數載流子, 空穴是少數載流子。

　　摻雜工藝有擴散和離子注入等。擴散是在合適的溫度和濃度梯度下, 用III、V 族元素占據硅原子位置。離子注入是將具有很高能量的雜質離子射入半導體襯底中。常用的三價摻雜氣體有B2H6、BBr3、BF3 等, 常用的五價摻雜氣體有PH3、POCl3、AsH3、SbCl5 等。